多晶硅用氮化硅制品
發(fā)布日期:2017-08-17 瀏覽次數(shù):909369
多晶硅還原爐是提煉多晶硅棒的專用設(shè)備,高壓啟動(dòng)方式要求首先施高壓擊穿,使純硅成為電阻率較低的導(dǎo)體,進(jìn)而提升導(dǎo)通電流速度,使硅芯內(nèi)部溫度快速上升,大大縮短啟動(dòng)時(shí)間,提高生產(chǎn)效率。故而需要耐高溫的高絕緣性陶瓷材料,防止高溫高壓下絕緣失效,造成電擊穿。傳統(tǒng)氧化鋁材質(zhì)由于自身性能限制,使用壽命很短,故而氮化硅陶瓷材料成為其首選。
最新一代優(yōu)質(zhì)多晶硅還原爐/氫化爐用高壓電極絕緣環(huán)、保護(hù)套、隔熱罩、絕緣套筒,采用氣壓燒結(jié)氮化硅,絕緣性好、韌性高、耐高溫、強(qiáng)度高、抗熱震,可防止倒棒時(shí)破壞電極,比氧化鋁材質(zhì)的同類產(chǎn)品壽命長10倍以上,減少停爐損失和更換成本,節(jié)約操作時(shí)間,降低勞動(dòng)強(qiáng)度,綜合效益提高3倍。已在國內(nèi)得到廣泛應(yīng)用,與進(jìn)口產(chǎn)品性能相當(dāng),獲得客戶一致好評。是國內(nèi)廣大多晶硅廠家提升產(chǎn)品質(zhì)量,降低生產(chǎn)成本,提高生產(chǎn)效率的首選。
常規(guī)尺寸:
根據(jù)圖紙生產(chǎn)
優(yōu)點(diǎn):
1. 冷等靜壓成型
2.氣壓燒結(jié)
3.高抗壓強(qiáng)度與抗折強(qiáng)度
4. 低熱膨脹系數(shù)
5.優(yōu)良的抗熱震性能
6.電絕緣性優(yōu)良
7.強(qiáng)耐電沖擊性
產(chǎn)品指標(biāo):
參數(shù):氣壓燒結(jié)氮化硅
密度:>3.2g/cm3
Si3N4 含量:>92%
抗折強(qiáng)度:>600Mpa
抗壓強(qiáng)度:>1500Mpa
導(dǎo)熱系數(shù)(W/mk):16-22
氣孔率:0
熱膨脹系數(shù)(RT-1000℃):3.2
最高工作溫度(空氣 中):1400℃
硬度(HRA):>92